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MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON

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CSD16323Q3现货标识

  • Texas Instruments
  • 新批次VSON-CLIP-8
  • MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
  • 暂无
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参数信息
常见问题
参数参数值
系列:
CSD16323Q3
产品种类
MOSFET
技术
Si
封装/箱体
VSON-CLIP-8
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
25V
Id-连续漏极电流
60A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Qg-栅极电荷
6.2nc
工作温度:
-55℃~+150℃
Pd-功率耗散
74 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
下降时间:
6.3 ns
高度:
1mm
长度:
3.3mm
上升时间:
15 ns
晶体管类型:
1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:
13 ns
典型接通延迟时间:
5.3 ns
宽度:
3.3mm
单位重量:
43.700mg

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