| 图片 | 商品 | 描述 | 价格 | 库存 | 备注 | 购买数量 | 操作 |
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高精度,高稳定性,TCXO,封装:2520,频率:40MHz,输出波形:HCMOS,电压:1.8V,初始精度:±1ppm,稳定度:±2.5ppm,工作温度:-40-85℃
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
| 递增量: | 1 |
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圆盘
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合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO,封装:2520,4P,频率:27MHz,输出方式:CMOS,工作电压:3.3V,常温频差:±1ppm,工作温度:-40℃~+85℃,频率稳定度:±2.5ppm
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需询价
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
| 递增量: | 1 |
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圆盘
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-+
合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO,封装:2520,4P,频率:25MHz,输出方式:CMOS,工作电压:3.3V,常温频差:±1ppm,工作温度:-40℃~+85℃,频率稳定度:±2.5ppm
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需询价
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
| 递增量: | 1 |
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圆盘
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-+
合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO封装:2520,4P,频率:10MHz,输出方式:CMOS,工作电压:3.3V,常温频差:±1ppm,工作温度:-40℃~+85℃,频率稳定度:±2.5ppm
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需询价
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
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圆盘
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合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO 封装:2520,频率:44MHz,输出方式:CMOS,工作电压:3.3V,初始精度:±1.0ppm,频率稳定度:±2.5ppm,工作温度:-40-85℃
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
| 递增量: | 1 |
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圆盘
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合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO,封装:2520,频率:38.4MHz,输出波形:HCMOS,电压:1.8~3.3V,初始精度:±1ppm,稳定度:±2ppm,工作温度:-40-85℃
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需询价
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
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圆盘
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合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO 封装:2016,频率:30.72MHz,输出模式:sine wave,工作电压:3.3V,初始精度:±1.5ppm,工作温度:-30-85℃,稳定度:±0.5ppm
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
| 递增量: | 1 |
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圆盘
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合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO,封装:2016,频率:40MHz,输出波形:sine wave,电压:3.3V,初始精度:±1.5ppm,稳定度:±0.5ppm,工作温度:-40-85℃
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
| 递增量: | 1 |
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圆盘
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合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO,封装:2016,4P,频率:32MHz,输出模式:Clipped Sine wave,工作电压:3.3V,初始精度:±1ppm,工作温度:-40℃~+85℃,温度频差:±0.5ppm
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需询价
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
| 递增量: | 1 |
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圆盘
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-+
合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO 封装:2016,频率:32MHz,输出方式:Clipped Sine wave,工作电压:1.8-3.3V,初始精度:±1ppm,工作温度:-30-85℃,频率稳定度:±1ppm
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需询价
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
| 递增量: | 1 |
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圆盘
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合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO 封装:2016,频率:32MHz,输出方式:Clipped Sine wave,工作电压:3.3V,初始精度:±1ppm,工作温度:-40-85℃,频率稳定度:±1ppm
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
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圆盘
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合计：¥
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高精度,高稳定性TCXO 封装:2016,4P,频率:32MHz,输出模式: Clipped Sine,工作电压:1.8V,初始精度:±1ppm@25,温度频差:±1ppm@-40+85
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
| 递增量: | 1 |
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圆盘
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-+
合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO,封装:2016,4P,频率:30MHz,输出方式:Clipped Sine wave,工作电压:3.3V,常温频差:±1ppm,工作温度:-40℃~+85℃,频率稳定度:±2ppm
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
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圆盘
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合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO,封装:2016,4P,频率:26MHz,输出方式:Clipped Sine wave,工作电压:1.8V,常温频差:±1ppm,工作温度:-40℃~+85℃,频率稳定度:±0.5ppm
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| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
| 递增量: | 1 |
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圆盘
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合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO封装:2016,4P,频率:26MHz,输出方式:Clipped Sine wave,工作电压:1.8V,常温频差:±1.5ppm,工作温度:-40℃~+85℃,频率稳定度:±1.5ppm
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
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圆盘
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高精度,高稳定性,TCXO,封装:2016,4P,频率:20MHz,输出方式:Clliped sine wave,工作电压:1.8V-3.3V,常温频差:±1.5ppm,工作温度:-40℃~+85℃,频率稳定度:±0.5ppm
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
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圆盘
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合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO 封装:2016,频率:52MHz,输出模式:sine wave,工作电压:3.3V,初始精度:±1ppm,工作温度:-40-85℃,稳定度:±1ppm
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需询价
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
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圆盘
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高精度,高稳定性,TCXO,封装:2016,频率:50MHz,输出方式:sine wave,工作电压:3.3V,初始精度:±1ppm@25,温度频差:±1ppm@-40-85℃
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| 库存: | 90000 |
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圆盘
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高精度,高稳定性,TCXO,封装:2016,输出波形:Clipped Sine,频率:24.576MHz,工作电压:3.3V,初始精度:±1ppm,工作温度:-40-85℃,温度频差:±2ppm
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需询价
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
| 最小包装: | 3000 |
| 递增量: | 1 |
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圆盘
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合计：¥
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高精度,高稳定性,TCXO 封装:2016,频率:50MHz,输出方式:CMOS,工作电压:3.3V,初始精度:±1ppm,工作温度:-40-80℃,频率稳定度:±2.5ppm
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| 库存: | 90000 |
| 最小起订量: | 1 |
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